利用InAs单晶衬底，可以生长InAsSb/In-AsSb、InNaSb等异质结材料，制备波长为2-14μm的红外发光器件。InAs单晶衬底也可以用于外延生长AlGaSb超晶格结构材料。中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域具有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有较高的电子迁移率，是制作霍尔器件的理想材料。作为单晶衬底，InAs材料需要具有低的位错密度、良好的晶格完整性、合适的电学参数和高的均匀性。