锑化镓晶片
产品应用
GaSb材料是制备二类超晶格红外焦平面探测芯片的关键材料；锑化镓红外探测器材料均匀性好，成本低，在中波及长波波段与碲镉汞探测器性能相当，在长波波段则有较大优势夜视、通讯、气象、大气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等领域具有广泛应用前景。
产品指标
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晶体电学参数 |
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掺杂 |
导电类型 |
载流子浓度 (cm-3) |
迁移率 (cm2V-1s-1) |
位错密度 (cm-2) |
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非掺 |
p-型 |
(1-2)x1017 |
600-700 |
2" ≤200； 3"≤500； 4"≤1000； |
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掺Zn |
p-型 |
(5-100)x1017 |
200-500 |
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掺Te |
n-型 |
(1-20) x1017 |
2000-3500 |
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晶片加工技术参数 |
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规格 |
2" |
3" |
4" |
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直径（mm） |
50.8±0.5 |
76.2±0.5 |
101.6±0.5 |
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厚度（um） |
500±25 |
600±25 |
800±25 |
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晶向 |
(100)/(111) |
(100)/(111) |
(100)/(111) |
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晶向偏差 |
±0.02º |
±0.02º |
±0.02º |
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主定位边长度（mm） |
16±1 |
22±1 |
32.5±1 |
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副定位边长度（mm） |
8±1 |
11±1 |
18±1 |
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平整度TTV(um) |
＜8 |
＜10 |
＜15 |
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弯曲度Bow(um) |
＜10 |
＜10 |
＜15 |
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翘曲度Warp(um) |
＜15 |
＜15 |
＜15 |
