磷化铟晶片
产品应用
材料特点：InP具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。
主要应用：5G通信是具有高速率、低时延和大连接特点的新一代宽带移动通信技术，是实现人机物互联的网络基础设施；汽车雷达领域用在发现障碍物、预测碰撞、自适应巡航控制、微波雷达等在汽车雷达中有着重要应用。
产品指标
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晶体电学参数 |
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掺杂 |
导电类型 |
载流子浓度 (cm-3) |
迁移率 (cm2V-1s-1) |
位错密度 (cm-2) |
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非掺 |
n-型 |
≦3x1016 |
(3.5- 4) ´103 |
≤2000 |
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掺S |
n-型 |
(0.8-6)x1018 |
(1.5-3.5) ´103 |
≤2000； |
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掺Zn |
p-型 |
(0.6-6)x1018 |
50-70 |
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掺Fe |
半绝缘 |
电阻率 ＞1´107 W.cm |
＞2000 |
≤2000； |
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晶片加工技术参数 |
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规格 |
2" |
3" |
4" |
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直径（mm） |
50.5±0.5 |
76.2±0.5 |
100.0±0.5 |
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厚度（um） |
350±25 |
600±25 |
600±25 |
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晶向 |
(100)/(111) |
(100)/(111) |
(100)/(111) |
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晶向偏差 |
±0.5º |
±0.5º |
±0.5º |
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主定位边长度（mm） |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
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副定位边长度（mm） |
8±1 |
11±1 |
18±1 |
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平整度TTV(um) |
＜10 |
＜10 |
＜15 |
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弯曲度Bow(um) |
＜10 |
＜10 |
＜15 |
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翘曲度Warp(um) |
＜15 |
＜15 |
＜15 |
