锑化镓为半导体材料之一，其中分子里包含了锑和镓，属于III-V族，其能隙为 0.726ev，晶格常数是0.61 nm。锑化镓通常可以用来做红外检测器、红外发光二极管、晶体管、激光二极管等用具。
用途
锑化镓（Gallium Antimonide）是由特别的LEC方法结晶生长而成的单结晶，用于红外线探测器，红外发光二极管（LED）、激光、转换器、恒温光电系统等。
另外，以锑化镓（GaSb）为代表的III-V族化合物半导体属于直接迁移性半导体，与硅（Si）系半导体相比，具有能带隙小，近红外领域（波长0.8um-2.2um）电磁波可以转化为电力等特征。
以锑化镓为基础的太阳能芯片，虽然技术难度非常大，但是在GaSb衬底上进行的以MBE为主的II-VI族外延片研究也在进行中。
抛光方法
鉴于现有技术存在的问题，本发明提出了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法，应用该方法加工后，锑化镓单晶片衬底表面损伤小、无划痕和腐蚀坑的缺陷，表面粗糙度低， 可达到粗糙度值Ra小于0.3 nm。
为了达到上述目的，本发明采取的技术方案是:一种用于锑化镓单晶片的抛光方法，其特征在于，锑化镓单晶片的抛光分三步完成，分别是粗抛光、中抛光和精抛光，其步骤如下：
第一步粗抛光:粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料， 抛光压力为100〜200 g/cm2,转速10〜40转/分钟，抛光液流量为10-50 mL/min;
第二步中抛光：中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60-100 nm的 二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，抛光压力为80-150 g/cm2,转速为60-100转/分钟， 抛光液流量为10-30 mL/min;
第三步精抛光:精抛光采用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，抛光压力 为30-100 g/cm2,转速为20-60转/分钟，抛光液流量为5-10 mL/min。
