锑化镓的用途与抛光方法

锑化镓的用途与抛光方法

 

    锑化镓为半导体材料之一,其中分子里包含了锑和镓,属于III-V族,其能隙为 0.726ev,晶格常数是0.61 nm。锑化镓通常可以用来做红外检测器、红外发光二极管、晶体管、激光二极管等用具。

用途

   锑化镓(Gallium Antimonide)是由特别的LEC方法结晶生长而成的单结晶,用于红外线探测器,红外发光二极管(LED)、激光、转换器、恒温光电系统等。

    另外,以锑化镓(GaSb)为代表的III-V族化合物半导体属于直接迁移性半导体,与硅(Si)系半导体相比,具有能带隙小,近红外领域(波长0.8um-2.2um)电磁波可以转化为电力等特征。

以锑化镓为基础的太阳能芯片,虽然技术难度非常大,但是在GaSb衬底上进行的以MBE为主的II-VI族外延片研究也在进行中。

抛光方法

 

    鉴于现有技术存在的问题,本发明提出了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法,应用该方法加工后,锑化镓单晶片衬底表面损伤小、无划痕和腐蚀坑的缺陷,表面粗糙度低, 可达到粗糙度值Ra小于0.3 nm。

      为了达到上述目的,本发明采取的技术方案是:一种用于锑化镓单晶片的抛光方法,其特征在于,锑化镓单晶片的抛光分三步完成,分别是粗抛光、中抛光和精抛光,其步骤如下:

第一步粗抛光:粗抛光采用氧化铈抛光垫,抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料, 抛光压力为100〜200 g/cm2,转速10〜40转/分钟,抛光液流量为10-50 mL/min;

第二步中抛光:中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫,抛光液中含有粒径为60-100 nm的 二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠,抛光压力为80-150 g/cm2,转速为60-100转/分钟, 抛光液流量为10-30 mL/min;

第三步精抛光:精抛光采用黑色合成革抛光布,抛光液为无磨料抛光液,抛光压力 为30-100 g/cm2,转速为20-60转/分钟,抛光液流量为5-10 mL/min。

 

创建时间:2022-11-11 21:58

技术刊物

 

TECHNICAL JOURNAL