青岛浩瀚全材半导体有限公司2020年12月成立,主要开展Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶圆衬底及相关产品的设计、研发、生产、销售、技术咨询及服务等业务。 公司坐落于青岛市上合-半导体智慧科技城,企业通过“青岛市Ⅲ-Ⅴ族化合物半导 体晶圆(衬底)场景应用实验室”的平台,主要研发、生产 2-6 英寸锑化镓 GaSb、 砷化铟 InAs、锑化铟(InSb)、磷化铟 InP 等半导体晶圆产品。并与青岛大学、 山东科技大学等院校合作,成立联合实验室,拟建立院士工作站、组建化合物半导体先进材料研究院等形式,进一步建设在国内外具有影响力的研发平台,以持续增强公司的产品技术水平及产业化能力。 公司通过了国家高新技术企业认定,企业被评为青岛市科技型中小企业、青 岛市科技创新型企业。锑化镓项目荣获“创客中国” 500 强,青岛市“市长杯”大赛二等奖。荣获 2023 中国(青岛)国际菁英创新创业大赛一等奖。通过了 ISO9001质量体系认证、ISO914001 环境管理体系认证、ISO945001职业健康安全管理体系认证。 公司车间面积9600㎡,其中2000㎡符合 ISO14644-1规定等级2标准的洁净车间(百级间)。公司专利20项,其中发明专利8项。. 公司将坚持“以人为本,以市场为导向,以技术研发为核心”的企业理念,不断探索创新,致力于打造绿色循环低碳典范,成为全球半导体晶圆材料领航者。
公司简介
—