锑化镓晶片

GaSb材料是制备二类超晶格红外焦平面探测芯片的关键材料；锑化镓红外探测器材料均匀性好，成本低，在中波及长波波段与碲镉汞探测器性能相当，在长波波段则有较大优势夜视、通讯、气象、大气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等领域具有广泛应用前景。

砷化铟晶片

InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

磷化铟晶片

InP具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。